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2N7002E-7-F
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2N7002E-7-F

Diodes Incorporated
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.24A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.3855
市场总库存:
99,710
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.77
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1984608502
包装说明 SOT-23, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 84 weeks
风险等级 0.77
Samacsys Description N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Samacsys Manufacturer Diodes Inc.
Samacsys Modified On 2020-02-09 07:05:23
YTEOL 6.52
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.24 A
最大漏极电流 (ID) 0.25 A
最大漏源导通电阻 3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.54 W
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Powers
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Diodes Incorporated
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