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2N7002K-T1-GE3
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2N7002K-T1-GE3

Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND LEAD FREE PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥1.4693
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.79
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
零件包装代码 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.95
风险等级 0.79
其他特性 LOW THRESHOLD, ESD PROTECTION, FAST SWITCHING
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.3 A
最大漏源导通电阻 4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.35 W
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
Vishay Intertechnologies
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