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2N7002P,215
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2N7002P,215

60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥0.7623
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
2.98
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2N7002P,215
Brand Name NXP Semiconductor
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
零件包装代码 TO-236
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3
制造商包装代码 SOT23
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.75
风险等级 2.98
Samacsys Description MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET
Samacsys Manufacturer NXP
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.36 A
最大漏极电流 (ID) 0.36 A
最大漏源导通电阻 1.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.42 W
参考标准 AEC-Q101
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
NXP Semiconductors
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