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2SB1569
晶体管 > BJT

2SB1569

Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;PNP;-1.5A;-120V;TO-220F
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
5.82
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.75
风险等级 5.82
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.5 A
基于收集器的最大容量 30 pF
集电极-发射极最大电压 120 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP
功耗环境最大值 2 W
最大功率耗散 (Abs) 20 W
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz
VCEsat-Max 2 V
数据手册与技术文档
Inchange Semiconductor Company Ltd
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