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2SK1088-M
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK1088-M

Fuji Electric Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F15, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.84
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
零件包装代码 TO-220F15
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.84
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9 A
最大漏极电流 (ID) 9 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 36 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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