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2SK1088-M
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK1088-M

Fuji Electric Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F15, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.83
风险等级:
设计
产品
长期
替代料
FE 功能等同替代料,包含 FFF 形态、装配、功能兼容替代料 (50):
对比 型号 厂商 描述
生命周期
风险等级
对比 2SK1088-M
功率场效应晶体管
当前料
功率场效应晶体管 Fuji Electric Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F15, 3 PIN
Obsolete
对比 IRFB3306PBF
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
AD NGTB50N60FLWG ON Semiconductor
IGBT器件,Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
对比 IRFB3006PBF
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 FCP170N60
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 ON Semiconductor
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 22 A, 170 mΩ, TO-220, 800-TUBE
Active
设计
产品
长期
对比 STP5NK60Z
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
N-channel 600 V, 1.2 Ohm typ., 5 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Active
设计
产品
长期
对比 SIHP6N40D-GE3
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 IRF540ZPBF
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
Transferred
设计
产品
长期
对比 FK14UM-10
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
14A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 9N70G-TA3-T
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 700V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE, TO-220, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 SIHFBC40A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 SIHFZ24
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 IRF610B
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Rochester Electronics LLC
3.3A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 SIHFZ44-E3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 IRL620A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Rochester Electronics LLC
5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 SIHF720
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 HUF76432P3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Rochester Electronics LLC
59A, 60V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Active
设计
产品
长期
对比 SIHFBC40LC
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 2SK3158-E
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
Nch Single Power MOSFET 150V 30A 45mohm TO-220AB
Not Recommended
设计
产品
长期
对比 2SK1807-E
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
Nch Single Power MOSFET 900V 4A 4000mohm TO-220AB
Not Recommended
设计
产品
长期
对比 STP90NF03L
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Not Recommended
设计
产品
长期
对比 IRL610
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRL3803VPBF
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRF530A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Motorola Semiconductor Products
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Obsolete
设计
产品
长期
对比 NP48N055CHE-AZ
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
NP48N055CHE-AZ
Obsolete
设计
产品
长期
对比 2SK3112
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NEC Electronics Group
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRF530
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Thomson Consumer Electronics
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IXTV22N50P
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 IXYS Corporation
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRF621FI
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
4A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IPP05CN10LG
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 TSM4N80CZC0
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Taiwan Semiconductor
Power Field-Effect Transistor
Obsolete
设计
产品
长期
对比 FDP6035L
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 BUK9510-100B,127
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NXP Semiconductors
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
Obsolete
设计
产品
长期
对比 FDP12N50F
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 NTP75N03R
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 ON Semiconductor
75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 2SK2965
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRF624B
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 2SK1400A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
7A, 350V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 RFP2N18L
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Intersil Corporation
2A, 180V, 3.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRFS720A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
对比 HUFA75337P3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Intersil Corporation
75A, 55V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Transferred
设计
产品
长期
对比 2SK2462-AZ
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NEC Electronics Group
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
对比 IXTP7N45
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 IXYS Corporation
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Transferred
设计
产品
长期
对比 IRF510A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
对比 BUK9575-100A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NXP Semiconductors
TRANSISTOR 23 A, 100 V, 0.084 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power
Transferred
设计
产品
长期
对比 IRF530N
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Philips Semiconductors
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Transferred
设计
产品
长期
对比 HUF75925P3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Intersil Corporation
11A, 200V, 0.275ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Transferred
设计
产品
长期
对比 PSMN4R3-30PL
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NXP Semiconductors
TRANSISTOR 100 A, 30 V, 0.0062 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power
Transferred
设计
产品
长期
对比 RFP18N08
其他晶体管
Pin to Pin
其他晶体管 General Electric Solid State
Transistor
Transferred
设计
产品
长期
对比 IXTP32N20T
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 IXYS Corporation
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
对比 IRLZ34N
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Philips Semiconductors
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Transferred
设计
产品
长期
对比 NP88N055CHE-S12-AZ
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NEC Electronics America Inc
Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 55V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, MP-25, TO-220, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
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