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2SK1326XJETL
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2SK1326XJETL

Renesas Electronics Corporation
50 mA, 22 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
5.47
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SK1326XJETL
生命周期 Transferred
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.47
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 22 V
最大漏极电流 (ID) 0.05 A
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
Renesas Electronics Corporation
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