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2SK1636(S)
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK1636(S)

Hitachi Ltd
Power Field-Effect Transistor, 0.27ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
5.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
零件包装代码 TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.46
配置 Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A
最大漏源导通电阻 0.27 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
数据手册与技术文档
Hitachi Ltd
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