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2SK2415-Z
晶体管 > 小信号场效应晶体管

2SK2415-Z

Renesas Electronics Corporation
8000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥10.5181
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.45
风险等级:
设计
产品
长期
替代料
FE 功能等同替代料,包含 FFF 形态、装配、功能兼容替代料 (50):
对比 型号 厂商 描述
生命周期
风险等级
对比 2SK2415-Z
小信号场效应晶体管
当前料
小信号场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
8000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
Obsolete
对比 2SK2415-Z
小信号场效应晶体管
Pin to Pin
小信号场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
8000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
AD BLA1011-2,112 Ampleon
射频功率场效应晶体管,BLA1011-2, Avionics LDMOS transistor, SOT538 (CDIP2)
对比 UT3N06L-TN3-T
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Active
设计
产品
长期
对比 4N65L-TN3-T
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 UT60T03L-TN3-T
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 4N65G-TN3-T
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 UT108N03L-TN3-R
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 108A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 4N80G-TN3-R
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 UTT60N06L-TN3-T
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor
Active
设计
产品
长期
对比 SUD25N15-52-E3
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 25 A, 150 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 12N06G-TN3-R
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 UTT60N06G-TN3-T
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor
Active
设计
产品
长期
对比 5N65L-TN3-R
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 3N90G-TN3-T
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor
Active
设计
产品
长期
对比 22N20G-TA3-T
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 6N60L-TN3-T
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252,
Active
设计
产品
长期
对比 IPD530N15N3G
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 FS5ASH-06
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
5A, 60V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-3, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 STD4NA40
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,3.3A I(D),TO-252
Active
设计
产品
长期
对比 NP60N04VUK-E1-AY
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
Nch Single Power MOSFET 40V 60A 3.85mohm MP-3ZP/TO-252 Automotive
Active
设计
产品
长期
对比 TK40P04M1
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 40 A, 40 V, 0.0134 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7K1S, DPAK-3, FET General Purpose Power
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长期
对比 SQD50N02-04-GE3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 34 A, 20 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power
Obsolete
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产品
长期
对比 SUD23N06-31L-E3
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 23 A, 60 V, 0.031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power
Obsolete
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对比 SSR3055L
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
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对比 FS30ASJ-03
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Powerex Power Semiconductors
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-3, 3 PIN
Obsolete
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对比 IRFR121
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Thomson Consumer Electronics
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 FS5ASJ-06
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
5A, 60V, 0.19ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-3, 3 PIN
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对比 STD4N25T4
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 STMicroelectronics
4A, 250V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
Obsolete
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对比 FS30AS-03
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Mitsubishi Electric
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Obsolete
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长期
对比 FS2AS-3
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Powerex Power Semiconductors
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-3, 3 PIN
Obsolete
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长期
对比 2SK3991-ZK-E1-AZ
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
Nch Single Power MOSFET 25V 30A 13.0mohm MP-3ZK/TO-252
Obsolete
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对比 IRFR111
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Obsolete
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对比 NP34N055SHE
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 NEC Electronics America Inc
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 55V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 2SK2414-Z-E1-AZ
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
2SK2414-Z-E1-AZ
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对比 IRLR210
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
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长期
对比 2SK3984-ZK-E1-AZ
小信号场效应晶体管
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小信号场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
2SK3984-ZK-E1-AZ
Obsolete
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对比 SUD70N02-03P
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 20V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3 PIN
Obsolete
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长期
对比 MTD5N06
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Motorola Mobility LLC
5A, 60V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
Obsolete
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长期
对比 2SK1060-Z
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
5A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN
Obsolete
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对比 FS50ASH-03
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Mitsubishi Electric
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Obsolete
设计
产品
长期
对比 SUD50N04-06H-E3
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 50 A, 40 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power
Obsolete
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长期
对比 STD17N05
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
17A, 50V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRFR13N15DPBF
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
Obsolete
设计
产品
长期
对比 2SK4076-ZK-E2-AY
小信号场效应晶体管
Pin to Pin
小信号场效应晶体管 NEC Electronics America Inc
Small Signal Field-Effect Transistor, 35A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
对比 2SK4077-ZK-E1-AY
小信号场效应晶体管
Pin to Pin
小信号场效应晶体管 NEC Electronics America Inc
Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
对比 APM3055LUC-TRL
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 American Power Devices Inc
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Contact Manufacturer
设计
产品
长期
对比 MLD2N06CL
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Motorola Mobility LLC
2A, 58V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3
Transferred
设计
产品
长期
对比 FS2ASJ-3
功率场效应晶体管
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功率场效应晶体管 Mitsubishi Electric
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 0.81ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transferred
设计
产品
长期
对比 MTD3055V
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Motorola Mobility LLC
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
Transferred
设计
产品
长期
对比 2SK3113B-ZK-E2-AY
小信号场效应晶体管
Pin to Pin
小信号场效应晶体管 NEC Electronics America Inc
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
对比 MTD3055V1
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Motorola Mobility LLC
12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369A-13, DPAK-3
Transferred
设计
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