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2SK694
晶体管 > 功率场效应晶体管

2SK694

Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 12 A, 400 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.45
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SK694
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 5.45
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 400 V
最大漏极电流 (ID) 12 A
最大漏源导通电阻 0.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 150 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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