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54SHST00CS
逻辑 > 栅极

54SHST00CS

Dynex Semiconductor
NAND Gate, HST/T Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.92
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1401506190
包装说明 DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code unknown
HTS代码 8542.39.00.01
风险等级 5.92
其他特性 RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHNOLOGY
系列 HST/T
JESD-30 代码 R-CDIP-T14
JESD-609代码 e0
逻辑集成电路类型 NAND GATE
最大I(ol) 0.009 A
功能数量 4
输入次数 2
端子数量 14
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
电源 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 22 ns
传播延迟(tpd) 20 ns
认证状态 Not Qualified
施密特触发器 NO
筛选级别 38535V;38534K;883S
子类别 Gates
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
参数规格与技术文档
Dynex Semiconductor
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