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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | 5962R9218901MRA |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1494226413 |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 8.82 |
| 系列 | ACT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.51 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大频率@ Nom-Sup | 95000000 Hz |
| 最大I（ol） | 24 A |
| 位数 | 1 |
| 功能数量 | 8 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 传播延迟（tpd） | 11.5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 子类别 | FF/Latches |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 7.62 mm |
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苏公网安备 32059002001873号