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934057278118
晶体管 > 功率场效应晶体管

934057278118

Nexperia
Power Field-Effect Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.84
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 934057278118
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 8254313156
包装说明 D2PAK-7
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Date Of Intro 2017-02-01
风险等级 5.84
雪崩能效等级(Eas) 739 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, CURRENT AND KELVIN SENSOR
最小漏源击穿电压 75 V
最大漏极电流 (ID) 75 A
最大漏源导通电阻 0.01 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 456 A
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
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