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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | 934057278118 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 8254313156 |
| 包装说明 | D2PAK-7 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Date Of Intro | 2017-02-01 |
| 风险等级 | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 739 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, CURRENT AND KELVIN SENSOR |
| 最小漏源击穿电压 | 75 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 75 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.01 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G6 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 456 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号