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BSS138-7-F
晶体管 > 小信号场效应晶体管

BSS138-7-F

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.2998
市场总库存:
217,997
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.77
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 16 weeks
风险等级 0.77
Samacsys Description ENHANCEMENT MODE MOSFET
Samacsys Manufacturer Diodes Inc.
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.2 A
最大漏极电流 (ID) 0.2 A
最大漏源导通电阻 3.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 8 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Powers
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
Diodes Incorporated
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