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BUZ46
晶体管 > 功率场效应晶体管

BUZ46

TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
4.2A, 500V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.84
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1480364809
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.84
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (ID) 4.2 A
最大漏源导通电阻 2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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