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FCD380N60E
晶体管 > 功率场效应晶体管

FCD380N60E

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 10.2 A, 380 mΩ, DPAK, 2500-REEL
市场均价:
¥13.1553
市场总库存:
23,811
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.77
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
FCD380N60E
ON Semiconductor
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码 369AS
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 15 weeks
风险等级 0.77
雪崩能效等级(Eas) 211.6 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10.2 A
最大漏极电流 (ID) 10.2 A
最大漏源导通电阻 0.38 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 106 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 30.6 A
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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