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FDC638PD87Z
晶体管 > 小信号场效应晶体管

FDC638PD87Z

Fairchild Semiconductor Corporation
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.32
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
FDC638PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
零件包装代码 SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.32
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 4.5 A
最大漏源导通电阻 0.048 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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