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FDC655BN
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FDC655BN

N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30 V, 6.3 A, 25 mΩ, 3000-REEL
市场均价:
¥2.5245
市场总库存:
222,546
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.04
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
FDC655BN
ON Semiconductor
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
制造商包装代码 419BL
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 1 week
风险等级 1.04
Samacsys Description FDC655BN N-Channel MOSFET, 6.3 A, 30 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor
其他特性 ULTRA-LOW RESISTANCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6.3 A
最大漏极电流 (ID) 6.3 A
最大漏源导通电阻 0.025 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 90 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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