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FDN5632N_F085
晶体管 > 功率场效应晶体管

FDN5632N_F085

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥3.6503
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FDN5632N_F085
Brand Name Fairchild Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1784618240
零件包装代码 SSOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
制造商包装代码 MOLDED PACKAGE, SUPERSOT, 3 LEAD
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.21.00.95
风险等级 8.37
配置 SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.7 A
最大漏极电流 (ID) 1.7 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.1 W
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
Fairchild Semiconductor Corporation
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