参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | FDN5632N_F085 |
Brand Name | Fairchild Semiconductor |
是否无铅 | ![]() |
是否Rohs认证 | ![]() |
生命周期 | Transferred |
Objectid | 1784618240 |
零件包装代码 | SSOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | MOLDED PACKAGE, SUPERSOT, 3 LEAD |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.95 |
风险等级 | 8.37 |
配置 | SINGLE |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.7 A |
最大漏极电流 (ID) | 1.7 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1.1 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |