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FQP20N06L_NL
晶体管 > 功率场效应晶体管

FQP20N06L_NL

Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FQP20N06L_NL
生命周期 Obsolete
parentfamilyid 1006389
IHS 制造商 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Datasheet Url https://4donline.ihs.com/images/VipMasterIC/IC/FAIR/FAIRS12492/FAIRS12492-1.pdf?hkey=EF798316E3902B6ED9A73243A3159BB0
Objectid 1716422545
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.83
雪崩能效等级(Eas) 170 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 21 A
最大漏源导通电阻 0.07 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 84 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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