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FQP6N40C
晶体管 > 功率场效应晶体管

FQP6N40C

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 400 V, 6 A, 1.0 Ω, TO-220, 1000-TUBE
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥8.9097
市场总库存:
489,905
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.81
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FQP6N40C
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
Datasheet Url https://4donline.ihs.com/images/VipMasterIC/IC/ONSM/ONSM-S-A0003585329/ONSM-S-A0003585329-1.pdf?hkey=EF798316E3902B6ED9A73243A3159BB0
Objectid 4001118489
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码 340AT
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 1 week
风险等级 0.81
雪崩能效等级(Eas) 270 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6 A
最大漏极电流 (ID) 6 A
最大漏源导通电阻 1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 73 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 24 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
ON Semiconductor
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