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HUFA7510P3
晶体管 > 功率场效应晶体管

HUFA7510P3

Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid HUFA7510P3
生命周期 Obsolete
Objectid 1923134998
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.46
其他特性 ULTRA-LOW RESISTANCE
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 75 V
最大漏极电流 (ID) 75 A
最大漏源导通电阻 0.01 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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