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HUFA75309D3S
晶体管 > 功率场效应晶体管

HUFA75309D3S

19A, 55V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
5.44
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid HUFA75309D3S
生命周期 Transferred
Objectid 1535798238
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.44
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 19 A
最大漏源导通电阻 0.07 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Intersil Corporation
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