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HUFA76413DK8T
晶体管 > 功率场效应晶体管

HUFA76413DK8T

Rochester Electronics LLC
5.1A, 60V, 0.049ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
5.32
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1306174783
零件包装代码 SOT
包装说明 SO-8
针数 8
Reach Compliance Code unknown
风险等级 5.32
雪崩能效等级(Eas) 260 mJ
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 5.1 A
最大漏源导通电阻 0.049 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 2
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 COMMERCIAL
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Rochester Electronics LLC
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