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IRFP048N-202
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP048N-202

International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.32
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.32
其他特性 HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 270 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 64 A
最大漏源导通电阻 0.016 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 225
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 210 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
International Rectifier
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