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IRFP251
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IRFP251

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
市场均价:
¥94.0541
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
5.9
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
IRFP251
IXYS Corporation
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
IHS 制造商 IXYS CORP
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
风险等级 5.9
配置 Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 33 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 180 W
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
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