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IRFP343
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP343

Renesas Electronics Corporation
IRFP343
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.92
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRFP343
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 INTERSIL CORP
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.92
配置 Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8.4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
数据手册与技术文档
Renesas Electronics Corporation
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