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IRFP350
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP350

16A, 400V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
市场均价:
¥21.2965
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
7.6
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 STMICROELECTRONICS
Reach Compliance Code compliant
风险等级 7.6
雪崩能效等级(Eas) 435 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 16 A
最大漏极电流 (ID) 16 A
最大漏源导通电阻 0.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 200 pF
JEDEC-95代码 TO-218
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 180 W
最大功率耗散 (Abs) 180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 64 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 275 ns
最大开启时间(吨) 190 ns
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