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IRFP442R
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IRFP442R

Harris Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.92
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
IRFP442R
Harris Semiconductor
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
风险等级 5.92
雪崩能效等级(Eas) 480 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 7.7 A
最大漏极电流 (ID) 7.7 A
最大漏源导通电阻 1.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 150 W
最大功率耗散 (Abs) 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 31 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 104 ns
最大开启时间(吨) 56 ns
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