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IRFP450
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP450

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥25.4378
市场总库存:
16
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.3
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 HARRIS SEMICONDUCTOR
Datasheet Url https://4donline.ihs.com/images/VipMasterIC/IC/HRIS/HRISSD90/HRISSD90-1.pdf?hkey=EF798316E3902B6ED9A73243A3159BB0
Objectid 1437147292
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 5.3
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A
最大漏极电流 (ID) 14 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 180 W
最大功率耗散 (Abs) 180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 160 ns
最大开启时间(吨) 93 ns
数据手册与技术文档
Harris Semiconductor
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