Fri Sep 17 2021 06:57:00 GMT+0000 (Coordinated Universal Time)

博客
IRFP4868PBF
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFP4868PBF

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 300V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥47.1956
市场总库存:
58
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
4.57
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
IHS 制造商 INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Datasheet Url https://4donline.ihs.com/images/VipMasterIC/IC/IRSD/IRSDS19316/IRSDS19316-1.pdf?hkey=EF798316E3902B6ED9A73243A3159BB0
Objectid 1278400240
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 4.57
雪崩能效等级(Eas) 1093 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 300 V
最大漏极电流 (ID) 70 A
最大漏源导通电阻 0.032 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 280 A
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
International Rectifier
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消