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IRFPG60
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IRFPG60

International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.47
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
IRFPG60
International Rectifier
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
风险等级 5.47
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 16 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 225
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 280 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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