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IRFW550ATM
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IRFW550ATM

Rochester Electronics LLC
40A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
5.39
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
IRFW550ATM
Rochester Electronics LLC
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码 D2PAK
包装说明 D2PAK-3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
风险等级 5.39
雪崩能效等级(Eas) 640 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 40 A
最大漏源导通电阻 0.04 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 160 A
认证状态 COMMERCIAL
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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