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IRFW630BTM-FP001
晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFW630BTM-FP001

ON Semiconductor
Discrete MOSFET, TO-263 2L (D2PAK), 800-REEL
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
5.21
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
IRFW630BTM-FP001
ON Semiconductor
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Not Recommended
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码 418AJ
Reach Compliance Code not_compliant
风险等级 5.21
雪崩能效等级(Eas) 160 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9 A
最大漏极电流 (ID) 9 A
最大漏源导通电阻 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 29 pF
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 245
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 72 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 36 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 270 ns
最大开启时间(吨) 180 ns
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