IRFW630BTM_FP001

晶体管 > 功率场效应晶体管

IRFW630BTM_FP001

Fairchild Semiconductor Corporation

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

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下载: IRFW630BTM_FP001

ECAD 模型:

市场均价:

￥17.4648

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133

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Transferred

风险等级:

8.24

风险等级:

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型号:IRFW630BTM_FP001

制造商:Fairchild Semiconductor Corporation

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