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KSB1116AGD26Z
晶体管 > 小信号双极晶体管

KSB1116AGD26Z

Fairchild Semiconductor Corporation
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.82
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid KSB1116AGD26Z
生命周期 Obsolete
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.82
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 60 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 135
JEDEC-95代码 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 120 MHz
数据手册与技术文档
Fairchild Semiconductor Corporation
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