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NTD20N06T4G
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NTD20N06T4G

ON Semiconductor
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 20A, 46mΩ, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL
市场均价:
¥5.6316
市场总库存:
89,464
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.76
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
NTD20N06T4G
ON Semiconductor
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
包装说明 DPAK-3
针数 3
制造商包装代码 369C
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 1 week
风险等级 0.76
Samacsys Description N-channel MOSFET Transistor, 20 A, 60 V, 3-pin D2PAK
雪崩能效等级(Eas) 170 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A
最大漏极电流 (ID) 20 A
最大漏源导通电阻 0.046 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 120 pF
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 60 W
最大功率耗散 (Abs) 60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 60 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 140 ns
最大开启时间(吨) 140 ns
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