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PZT651T1
晶体管 > 小信号双极晶体管

PZT651T1

Motorola Semiconductor Products
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥3.6462
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
5.86
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
IHS 制造商 MOTOROLA INC
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown
HTS代码 8541.21.00.95
风险等级 5.86
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A
集电极-发射极最大电压 60 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40
JEDEC-95代码 TO-261AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W
认证状态 Not Qualified
子类别 Other Transistors
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 75 MHz
VCEsat-Max 0.5 V
数据手册与技术文档
Motorola Semiconductor Products
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