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QEB363GR
光电 > 红外 LED

QEB363GR

Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode, 1000-REEL
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥4.6582
市场总库存:
5,939
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.81
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid QEB363GR
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
制造商包装代码 100CV
Reach Compliance Code compliant
HTS代码 8541.40.20.00
Factory Lead Time 12 weeks
风险等级 0.81
配置 SINGLE
最大正向电流 0.05 A
最大正向电压 1.6 V
JESD-609代码 e3
安装特点 SURFACE MOUNT
功能数量 1
最高工作温度 100 °C
最低工作温度 -40 °C
光电设备类型 INFRARED LED
峰值波长 940 nm
最大反向电压 5 V
半导体材料 GaAs
形状 ROUND
尺寸 2 mm
子类别 Infrared LEDs
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
视角 24 deg
数据手册与技术文档
ON Semiconductor
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