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QEB373ZR
光电 > 红外 LED

QEB373ZR

ON Semiconductor
Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode, 1000-REEL
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥4.0839
市场总库存:
890
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.8
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid QEB373ZR
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
包装说明 ROHS COMPLIANT, SURFACE MOUNT, PLASTIC PACKAGE-2
制造商包装代码 100CW
Reach Compliance Code compliant
HTS代码 8541.40.20.00
Factory Lead Time 4 weeks
风险等级 0.8
配置 SINGLE
最大正向电流 0.05 A
最大正向电压 1.7 V
JESD-609代码 e3
安装特点 SURFACE MOUNT
功能数量 1
最高工作温度 100 °C
最低工作温度 -40 °C
光电设备类型 INFRARED LED
峰值波长 875 nm
最大反向电压 5 V
半导体材料 AlGaAs
形状 ROUND
尺寸 2 mm
子类别 Infrared LEDs
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
视角 24 deg
数据手册与技术文档
ON Semiconductor
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