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QED223A4R0
光电 > 红外 LED

QED223A4R0

ON Semiconductor
AlGaAs Infrared Emitting Diode, 1200-REEL
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥4.4668
市场总库存:
9,680
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.82
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid QED223A4R0
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
IHS 制造商 ON SEMICONDUCTOR
制造商包装代码 100CC
Reach Compliance Code compliant
HTS代码 8541.40.20.00
Factory Lead Time 11 weeks
风险等级 0.82
最大正向电流 0.1 A
最大正向电压 1.7 V
JESD-609代码 e3
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度 100 °C
最低工作温度 -40 °C
峰值波长 890 nm
最大反向电压 5 V
半导体材料 AlGaAs
子类别 Infrared LEDs
表面贴装 NO
端子面层 Tin (Sn)
视角 40 deg
数据手册与技术文档
ON Semiconductor
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