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S-LBSS138LT3G
晶体管 > 小信号场效应晶体管

S-LBSS138LT3G

LRC Leshan Radio Co Ltd
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE PACKAGE-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
7.7
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1358039039
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.7
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.2 A
最大漏极电流 (ID) 0.2 A
最大漏源导通电阻 3.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W
参考标准 AEC-Q101
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
LRC Leshan Radio Co Ltd
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