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SI3469DV-T1-GE3
晶体管 > 小信号场效应晶体管

SI3469DV-T1-GE3

Vishay Intertechnologies
P-CH MOSFET TSOP-6 20V 30MOHM @ 10V - Tape and Reel
市场均价:
¥7.8372
市场总库存:
-
生命周期状态:
Not Recommended
风险等级:
5.18
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
SI3469DV-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Not Recommended
零件包装代码 TSOP
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.18
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5 A
最大漏极电流 (ID) 5 A
最大漏源导通电阻 0.03 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W
认证状态 Not Qualified
子类别 Other Transistors
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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