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SPD25N06S240NTMA1
晶体管 > 功率场效应晶体管

SPD25N06S240NTMA1

Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, PLASTIC PACKAGE-3
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
5.76
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
SPD25N06S240NTMA1
Infineon Technologies AG
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.76
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 80 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 29 A
最大漏源导通电阻 0.04 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 116 A
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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