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ST1000A36CTX
二极管 > 瞬态抑制器

ST1000A36CTX

Solid State Devices Inc (SSDI)
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, MINISTUD-1
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
5.84
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
包装说明 O-MUPM-X1
针数 1
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 5.84
最大击穿电压 39.6 V
最小击穿电压 32.4 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 O-MUPM-X1
最大非重复峰值反向功率耗散 1000 W
元件数量 1
端子数量 1
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT
极性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 5 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500
最大重复峰值反向电压 30 V
表面贴装 NO
技术 ZENER
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
数据手册与技术文档
Solid State Devices Inc (SSDI)
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