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ST1000A510S
二极管 > 瞬态抑制器

ST1000A510S

Solid State Devices Inc (SSDI)
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 430V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
5.84
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
包装说明 E-LALF-W2
针数 2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 5.84
最大击穿电压 561 V
最小击穿电压 459 V
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散 1000 W
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 GLASS
封装形状 ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM
极性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 5 W
最大重复峰值反向电压 430 V
表面贴装 NO
技术 AVALANCHE
端子形式 WIRE
端子位置 AXIAL
数据手册与技术文档
Solid State Devices Inc (SSDI)
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