Mon Dec 06 2021 05:11:37 GMT+0000 (Coordinated Universal Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
博客
STB75NF75
晶体管 > 功率场效应晶体管

STB75NF75

STMicroelectronics
80A, 75V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
5.3
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STB75NF75
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
零件包装代码 D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.3
Samacsys Description N-channel 75V - 0.0095Ω - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKnSTripFET II Power MOSFET
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
雪崩能效等级(Eas) 700 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A
最大漏极电流 (ID) 80 A
最大漏源导通电阻 0.011 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 245
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 320 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消