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STK11C68-5K55M
存储 > SRAM

STK11C68-5K55M

Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, MO-058, DIP-28
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.88
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
零件包装代码 DIP
包装说明 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, MO-058, DIP-28
针数 28
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 5.88
最长访问时间 55 ns
其他特性 EEPROM SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES
JESD-30 代码 R-CDIP-T28
JESD-609代码 e0
长度 35.56 mm
内存密度 65536 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8
湿度敏感等级 1
功能数量 1
端子数量 28
字数 8192 words
字数代码 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 8KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP28,.3
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
电源 5 V
认证状态 Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 4.11 mm
最大待机电流 0.002 A
子类别 SRAMs
最大压摆率 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子面层 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm
数据手册与技术文档
Cypress Semiconductor
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