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STK3N50{SOT-194}
晶体管 > 功率场效应晶体管

STK3N50{SOT-194}

STMicroelectronics
2.7A, 500V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.83
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
STK3N50{SOT-194}
STMicroelectronics
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 STMICROELECTRONICS
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3
Reach Compliance Code unknown
风险等级 5.83
雪崩能效等级(Eas) 200 mJ
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (ID) 2.7 A
最大漏源导通电阻 3.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 50 pF
JESD-30 代码 R-PSFM-G3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 12 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大开启时间(吨) 137 ns
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