博客
STK3N50
晶体管 > 功率场效应晶体管

STK3N50

STMicroelectronics
2.7A, 500V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.83
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
STK3N50
STMicroelectronics
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 STMICROELECTRONICS
Reach Compliance Code not_compliant
风险等级 5.83
雪崩能效等级(Eas) 200 mJ
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2.7 A
最大漏极电流 (ID) 2.7 A
最大漏源导通电阻 3.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 50 pF
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 60 W
最大功率耗散 (Abs) 60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 12 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大开启时间(吨) 137 ns
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏